晶合集成获得发明专利授权：“掩膜层的测试方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“掩膜层的测试方法”，专利申请号为CN202411991984.4，授权日为2025年4月11日。

专利摘要：本发明提供一种掩膜层的测试方法，在测试晶圆上形成有掩膜层；依次执行曝光工艺和显影工艺，使得测试晶圆的各区域上的掩膜层具有不同厚度；在不同厚度的掩膜层上执行不同剂量的离子注入工艺，且在不同厚度的掩膜层上执行相同剂量的离子注入工艺，以及在不同区域的同一厚度的掩膜层上执行不同剂量的离子注入工艺；去除掩膜层并测试测试晶圆表面的损伤程度，以获得离子注入工艺中剂量、掩膜层厚度与测试晶圆表面的损伤程度的关系并确定离子注入工艺中掩膜层厚度范围。意想不到的效果是，本发明中不同实验条件能够在一片测试晶圆上完成，节约了成本，且避免了量测时间带来的影响；不同剂量的例子注入条件提高了穿透率的精度。

今年以来晶合集成新获得专利授权91个，较去年同期减少了2.15%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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