兴福电子获得发明专利授权：“一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液”，专利申请号为CN202211608445.9，授权日为2025年3月28日。

专利摘要：本发明提供了一种相对于掺杂多晶硅高选择性蚀刻二氧化硅的蚀刻液，例如，硼掺杂多晶硅、硼磷掺杂多晶硅，该蚀刻液包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、有机酸以及超纯水。本发明的蚀刻液通过添加剂的作用，能够得到表面张力低、浸润性优的蚀刻液，同时添加剂和有机酸的加入对掺杂多晶硅具有保护效果，可以在掺杂多晶硅表面形成稳定的保护膜，选择性地蚀刻二氧化硅，二氧化硅和掺杂多晶硅的蚀刻选择比可以达到2000以上，且掺杂多晶硅层蚀刻后的表面粗糙度在0.050nm以下。本发明的蚀刻液在不影响二氧化硅层和氮化硅膜层蚀刻速率的情况下，对掺杂多晶硅层具有更优的保护效果。

今年以来兴福电子新获得专利授权9个。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了2824.56万元，同比减nan%。

数据来源：天眼查APP

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