证券之星消息，根据天眼查APP数据显示拓荆科技（688072）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其薄膜沉积装置及方法”，专利申请号为CN202211598687.4，授权日为2025年3月25日。
专利摘要：本发明提供了一种半导体器件的薄膜沉积装置、一种半导体器件、一种半导体器件的薄膜沉积方法以及一种计算机可读存储介质。该半导体器件的薄膜沉积装置包括反应腔、射频发生器、可调电容及控制器，其中，控制器被配置为：确定对半导体器件进行薄膜沉积时的目标能量密度；根据目标能量密度及射频发生器的射频频率，调节可调电容的电容值，以使沉积功率、射频时间及反应腔中的沉积压力匹配目标能量密度；以及基于目标能量密度的工艺条件，对半导体器件进行薄膜沉积。
今年以来拓荆科技新获得专利授权9个，较去年同期增加了350%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了3.14亿元，同比增49.61%。
数据来源：天眼查APP
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