长光华芯获得发明专利授权：“半导体激光器材料的校验方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体激光器材料的校验方法”，专利申请号为CN202411832991.X，授权日为2025年3月25日。

专利摘要：本申请公开了半导体激光器材料的校验方法，包括：生长校验结构，校验结构包括从下至上依次设置的衬底层、第一晶格匹配层、InGaAs/InAlAs超晶格、第二晶格匹配层、InyAl1?yAs层、第三晶格匹配层和InxGa1?xAs层；进行XRD表征，得到XRD衍射谱，对InGaAs/InAlAs超晶格的组分和生长速率进行计算。本申请公开的半导体激光器材料的校验方法，能够通过一次校验结构的生长，同时实现InGaAs和InAlAs材料组分和生长速率的校验，缩减了校验生长的次数，提高了校验效率，降低校验成本，保障生产质量；能够排除不同次生长之间存在的生长速率的波动，提升校验的一致性，提升校验精确度。

今年以来长光华芯新获得专利授权8个，较去年同期增加了33.33%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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