天岳先进获得发明专利授权：“一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用”，专利申请号为CN202411546268.5，授权日为2025年3月14日。

专利摘要：本申请公开了一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用，属于4H碳化硅晶棒制备技术领域。该4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半径均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在轴向上曲率半径分布函数为CR=ey+fy2+gy3+h。该4H碳化硅晶棒在降低电阻率的同时提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半径，且同一4H碳化硅晶棒制备得到的碳化硅晶片的曲率半径分布均匀，可显著提高利用该材料制备得到的器件的稳定性。

今年以来天岳先进新获得专利授权3个，较去年同期减少了57.14%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了5620.98万元，同比减37.41%。

数据来源：天眼查APP

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