证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种IGBT器件的制造方法”，专利申请号为CN202411371344.3，授权日为2025年3月11日。
专利摘要：本发明属于IGBT器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件的制造方法，包括：在n型半导体层内形成若干个第一沟槽；通过倾斜的离子注入在n型半导体层内形成位于第一沟槽一侧的N离子注入区；通过垂直的离子注入形成n型电荷存储区；通过倾斜的离子注入形成n型源区；通过自对准工艺形成第一栅极和第二沟槽；在第二沟槽形成第二栅极，通过垂直的离子注入在n型半导体层内形成位于第一沟槽两侧的p型体区。本发明可以减少IGBT器件制造过程中的光刻工艺次数，降低IGBT器件的制造成本。
今年以来东微半导新获得专利授权1个。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了3878.39万元，同比减1.65%。
数据来源：天眼查APP
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