晶合集成获得发明专利授权：“提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法”，专利申请号为CN202411397328.1，授权日为2025年3月11日。

专利摘要：本申请公开了提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法，所述提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法包括：提供一基材，所述基材包括氮化硅层和氧化硅层；采用磷酸溶液对所述氮化硅层进行蚀刻，且蚀刻过程中通过微波加热所述磷酸溶液以及所述氮化硅层和所述氧化硅层，其中，所述氮化硅层掺有碳源,和/或所述氧化硅层采用多孔氧化硅，从而达到提高所述氮化硅层和所述氧化硅层蚀刻选择比的目的。由于整个蚀刻过程中无需在磷酸溶液中引入昂贵添加剂来实现氮化硅层和氧化硅层蚀刻选择比的提高，因而解决了现有方法存在的成本偏高和污染较大的技术问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权43个，较去年同期减少了27.12%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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