明微电子获得发明专利授权：“一种集成电路及其晶体管器件以及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示明微电子（688699）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种集成电路及其晶体管器件以及制备方法”，专利申请号为CN202010255413.X，授权日为2025年3月4日。

专利摘要：一种集成电路及其晶体管器件以及制备方法，晶体管器件包括第一MOS管和第二MOS管，通过将第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极共同形成于第一掺杂区中，且第一掺杂区与集成电路的一管脚耦接，第二MOS管的栅极、源极及衬底接地，使得第二MOS管集成于第一MOS管中且与第一MOS管串联，从而使得第二MOS管可以将管脚和第一MOS管的浪涌电流泄放到地，从而对第一MOS管和其所在的集成电路实现了ESD抑制，即本晶体管器件可不通过额外接入浪涌防护器件的方式，仅自身便可以实现ESD抑制，解决了传统的技术方案中存在无法进行ESD浪涌保护占用集成电路空间大的问题。

今年以来明微电子新获得专利授权4个，较去年同期减少了50%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了5548.16万元，同比增31.18%。

数据来源：天眼查APP

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