扬杰科技获得发明专利授权：“一种SiCUMOSFET器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种SiCUMOSFET器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410944070.6，授权日为2025年2月11日。

专利摘要：一种SiC UMOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。通过在SiC UMOSFET器件中形成第一沟槽区和第二沟槽区，通过在第一沟槽区底部形成P+Shield区，对第一沟槽区和第二沟槽区底部的栅氧同时进行保护，同时在第一沟槽区和第二沟槽区两边均形成沟道区，从而增加了芯片的沟道区数量，提高了器件通流能力。并且本发明在第一沟槽区底部形成体二极管，使底部的P+Sheild区接地，更进一步提高了其保护能力，而由于体二极管从原本的漂移层上方转移到了内部，因此也降低了体二极管续流过程中的电阻，降低了续流损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权9个，较去年同期减少了40%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。

数据来源：天眼查APP

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