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扬杰科技获得发明专利授权：“MOSFET终端结构及其制备方法”

来源：证券之星企业动态 2025-02-13 02:28:40

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“MOSFET终端结构及其制备方法”，专利申请号为CN202410944073.X，授权日为2025年2月11日。

专利摘要：MOSFET终端结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明源极沟槽与第一截止沟槽相交，第一截止沟槽内圈侧壁和P+沟道层、N+层接触，在不增加额外工艺步骤的条件下，第一截止沟槽内圈侧壁和源极沟槽侧壁同时起到形成导电沟道反型层的作用，减小了器件在导通状态下的导通电阻。

今年以来扬杰科技新获得专利授权9个，较去年同期减少了40%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。

数据来源：天眼查APP

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