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扬杰科技获得发明专利授权：“一种降低导通电阻的平面栅MOSFET及其制备方法”

来源：证券之星企业动态 2025-01-29 02:15:24

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种降低导通电阻的平面栅MOSFET及其制备方法”，专利申请号为CN202410944076.3，授权日为2025年1月28日。

专利摘要：一种降低导通电阻的平面栅MOSFET及其制备方法，涉及半导体技术领域。在器件的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。

今年以来扬杰科技新获得专利授权5个，较去年同期减少了54.55%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。

数据来源：天眼查APP

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