晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的制作方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制作方法及半导体器件”，专利申请号为CN202411405923.5，授权日为2025年1月28日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，衬底内形成多个浅沟槽隔离结构；在衬底上形成有多个第一栅极结构，在浅沟槽隔离结构上形成间隔设置的两个第二栅极结构；在第一栅极结构、第二栅极结构、衬底和浅沟槽隔离结构上形成保护层；刻蚀第一栅极结构和衬底上的部分保护层；再去除第一栅极结构和衬底上的保护层，同时去除第二栅极结构和浅沟槽隔离结构上的部分保护层；在第一栅极结构两侧的衬底内形成西格玛沟槽并形成应变结构；去除保护层，在衬底上依次形成接触孔刻蚀停止层和层间介质层。通过本发明提供的半导体器件的制作方法及半导体器件，能够提高半导体器件良率和性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权12个，较去年同期增加了9.09%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了6.14亿元，同比增22.27%。

数据来源：天眼查APP

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