扬杰科技获得实用新型专利授权：“提高通流能力的碳化硅MOSFET器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高通流能力的碳化硅MOSFET器件”，专利申请号为CN202421096623.9，授权日为2024年12月31日。

专利摘要：提高通流能力的碳化硅MOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括：碳化硅衬底；碳化硅漂移层，设置在所述碳化硅衬底上，其顶部设从下而上依次设置的N+区和JFET区；PW区，位于JFET区内，从所述碳化硅漂移层的顶面向下延伸，与所述N+区连接；NP区，位于所述PW区内，从所述PW区的顶面向下延伸，与所述N+区设有间距；PP区，从所述PW区的顶面向下延伸，位于所述NP区的中部，与所述N+区设有间距；栅氧层，位于所述JFET区的顶面；欧姆金属层，位于所述栅氧层内，底部与所述NP区和PP区连接；Poly层，位于所述栅氧层的顶面；本实用新型降低器件电阻，提高了通流能力，降低了器件发生双极退化的可能性。

今年以来扬杰科技新获得专利授权82个，较去年同期增加了18.84%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。

数据来源：天眼查APP

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