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横店东磁获得发明专利授权：“一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法”

来源：证券之星企业动态 2024-12-28 03:09:17

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法”，专利申请号为CN202411324326.X，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种具有抛光隔离区结构的TBC太阳能电池的制备方法。首先，本发明将具有金字塔绒面的常规隔离区结构改进为凸出于硅片背面的抛光隔离区结构，可增加入射光在硅基体内的反射，从而提升电池Isc，同时，由于初始隔离区被掩膜层保护住，后续不受湿法腐蚀破坏，可使隔离区****即可得到TBC太阳能电池，可有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。

今年以来横店东磁新获得专利授权91个，较去年同期减少了59.19%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.91亿元，同比减25.49%。

数据来源：天眼查APP

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