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横店东磁获得发明专利授权：“一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法”

来源：证券之星企业动态 2024-12-28 03:08:40

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法”，专利申请号为CN202411358611.3，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种利用激光去除TBC太阳能电池硅片绕镀层的方法。本发明采用“三步法”激光处理+碱清洗方式来去除硅片正面及侧面的绕镀层，具有高效、负面影响小的优点，并且去绕镀过程中无需经过酸处理，更加环保以及成本低的特点。

今年以来横店东磁新获得专利授权91个，较去年同期减少了59.19%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.91亿元，同比减25.49%。

数据来源：天眼查APP

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