横店东磁获得发明专利授权：“一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示横店东磁（002056）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法”，专利申请号为CN202411298025.4，授权日为2024年12月27日。

专利摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法。首先，本发明通过优化工艺步骤，在不构建掩膜层的情况下实现了单次沉积本征多晶硅层制备TBC太阳能电池，可进一步简化制备步骤，并有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。其次，本发明通过巧妙的差异化激光处理工艺，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区和n区发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响。

今年以来横店东磁新获得专利授权91个，较去年同期减少了59.19%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.91亿元，同比减25.49%。