甬矽电子获得发明专利授权：“电磁屏蔽结构制作方法和封装结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“电磁屏蔽结构制作方法和封装结构”，专利申请号为CN202411252775.8，授权日为2024年12月20日。

专利摘要：本申请提供了一种电磁屏蔽结构制作方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽结构制作方法包括提供具有第一元件的衬底。利用3D打印技术在衬底上形成屏蔽部；其中，屏蔽部设于第一元件的外围；该步骤包括：构建屏蔽部的三维模型；识别衬底上的目标位置；依据三维模型在目标位置处铺设打印材料预成型屏蔽部。在衬底上注入塑封料形成包封第一元件和屏蔽部的塑封体；其中，塑封料与打印材料产生交联反应。研磨塑封体，以使屏蔽部从塑封体表面露出。在塑封体表面形成与屏蔽部电连的金属层；金属层和屏蔽部中至少一者具有接地属性。采用3D打印技术可以提高屏蔽部和塑封体的结合力，提高封装可靠性。

今年以来甬矽电子新获得专利授权48个，较去年同期减少了5.88%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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