证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“高封装功率密度的GaNHEMT器件”，专利申请号为CN202323249174.5，授权日为2024年12月6日。
专利摘要：高封装功率密度的GaN HEMT器件，涉及半导体技术领域。包括外延片、第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层。GaN HEMT器件上形成n个有源区，每个有源区相互隔离，控制每个有源区内栅宽为1mm，通过器件内互联金属将每个有源区的G、D、S电极都与器件的G、D、S电极Pad互联，通过该方案可以在不影响器件栅控能力、不引入额外寄生电感和寄生电阻的情况下，达到提升单个器件通流能力，提高器件大尺寸封装功率密度的优点。
今年以来扬杰科技新获得专利授权78个，较去年同期增加了13.04%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.97亿元，同比增19.31%。
数据来源：天眼查APP
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