拓荆科技获得发明专利授权：“具有聚焦环的下电极组件及半导体沉淀设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示拓荆科技（688072）新获得一项发明专利授权，专利名为“具有聚焦环的下电极组件及半导体沉淀设备”，专利申请号为CN202211532044.X，授权日为2024年12月17日。

专利摘要：本发明提供了一种具有聚焦环的下电极组件和半导体沉淀设备，涉及半导体器件制作的技术领域，包括下电极主体和聚焦环；聚焦环沿着下电极主体的圆周边缘环形布置，且聚焦环与下电极主体的侧壁配合连接，聚焦环用于平衡下电极主体的表面高度，以平衡下电极主体与晶圆的高度配合；根据下电极主体的环形设计聚焦环的形状，利用聚焦环直接与下电极主体的侧壁装配连接，通过聚焦环能够控制晶圆边缘的等离子体场的基础上，减少了装配过程中的公差叠加，保证了聚焦环与下电极主体的间隙公差范围，缓解了现有技术中存在的聚焦环装配公差叠加造成高度差不可控，易导致晶圆背面冷却氦气的泄漏，下电极表面以及晶圆背面会沉积反应生成物的技术问题。

今年以来拓荆科技新获得专利授权30个，较去年同期减少了61.54%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.14亿元，同比增49.61%。

数据来源：天眼查APP

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