艾为电子获得发明专利授权：“一种重新布线的晶圆级封装结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示艾为电子（688798）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种重新布线的晶圆级封装结构及其制备方法”，专利申请号为CN202011133674.0，授权日为2024年11月29日。

专利摘要：本发明提供了一种重新布线的晶圆级封装结构及其制备方法，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口，第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接，第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口，第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层，从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层，进而可以节省材料，降低封装成本。

今年以来艾为电子新获得专利授权101个，较去年同期减少了22.31%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.53亿元，同比减22.88%。

数据来源：天眼查APP

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