广立微获得发明专利授权：“一种漏电测试结构的生成方法、装置和存储介质”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种漏电测试结构的生成方法、装置和存储介质”，专利申请号为CN202410888844.8，授权日为2024年11月5日。

专利摘要：本申请涉及一种漏电测试结构的生成方法、装置和存储介质，该方法包括：获取版图，在版图的标准单元区域中确定目标区域；在目标区域中识别出衬底端口；根据预设的类型参数，从衬底端口中筛选出目标衬底端口；将目标衬底端口接出，生成至少一个漏电测试结构的体极；基于衬底端口分割目标区域，得到多个单元区域；在单元区域中识别有效栅极，从有效栅极中筛选得到目标栅极；识别出目标栅极对应的目标源极和目标漏极；将目标栅极、目标源极和目标漏极接出，并分别将同个单元区域中相同的电极并联，生成单元区域中的漏电测试结构的栅极、源极和漏极；选取漏电测试结构的电极，完成目标漏电测试结构的生成。根据该目标漏电测试结构对晶体管的任意电极之间漏电进行测试。

今年以来广立微新获得专利授权41个，较去年同期增加了70.83%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1.32亿元，同比增41.77%。

数据来源：天眼查APP

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