宏微科技获得发明专利授权：“一种RC-IGBT的背面制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示宏微科技（688711）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种RC-IGBT的背面制备方法”，专利申请号为CN201711408753.6，授权日为2024年11月15日。

专利摘要：本发明提供一种RC?IGBT的背面制备方法，包括NFS背面注入使用两层光刻版，一层用于N+注入，一层用于P+注入，最终背面N+掺杂区呈T型结构，实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制Snapback现象的作用，两层光刻版，第一层用于阻挡N+注入，未阻挡部分开口尺寸L1，第二层用于阻挡P+注入，阻挡部分开口尺寸L2，L1>L2，通过调整L1和L2的尺寸可以调整寄生二极管VF，IGBT压降及snapback曲线，本发明结构简单，通过增加一次背面光刻注入工艺，背面注入两张光刻版的尺寸设计和组合，即可实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制Snapback现象的作用，增加了设计的灵活度。

今年以来宏微科技新获得专利授权12个，较去年同期增加了9.09%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5390.84万元，同比增6.78%。

数据来源：天眼查APP

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