长光华芯获得发明专利授权：“一种半导体发光结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体发光结构的制备方法”，专利申请号为CN202410725721.2，授权日为2024年9月17日。

专利摘要：本发明提供一种半导体发光结构的制备方法，包括：在半导体衬底层上形成有源层；在有源层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一半导体包层；在部分第一半导体包层背离有源层的一侧形成第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的第一半导体包层，使第一掩膜层底部的部分厚度的第一半导体包层形成脊波导，脊波导的宽度小于第一掩膜层的宽度；在脊波导两侧的第一半导体包层上形成第二掩膜层，第二掩膜层与第一掩膜层的横向距离大于零；在第一掩膜层和第二掩膜层之间的第一半导体包层上形成位于脊波导两侧且与脊波导间隔的反波导，反波导的折射率高于所述脊波导的折射率。本发明采用低成本的方式，提高了具有反波导的半导体发光结构的制备精度。

今年以来长光华芯新获得专利授权14个，较去年同期减少了50%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6219.78万元，同比增13.56%。

数据来源：天眼查APP

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