广立微获得发明专利授权：“SDB隔离测试结构的生成方法、SDB隔离测试结构和存储介质”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“SDB隔离测试结构的生成方法、SDB隔离测试结构和存储介质”，专利申请号为CN202410530288.7，授权日为2024年8月20日。

专利摘要：本申请涉及一种SDB隔离测试结构的生成方法、SDB隔离测试结构和存储介质，该方法包括：获取版图的目标区域；根据预设的SDB隔离测试结构的失效类型，识别目标区域中的有效SDB和目标衬底；将目标衬底连出，生成衬底端口；排除有效SDB中的漏电风险SDB，得到目标有效SDB；将目标有效SDB两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口；将衬底端口、源极端口和漏极端口作为目标区域的SDB隔离测试结构的测试引脚，即生成目标区域的SDB隔离测试结构。通过排除漏电回路，排除在SDB隔离效果测试中的干扰回路，进而解决了SDB隔离效果检测的测试结构失效导致定位不准确的问题，进而提高了SDB隔离效果检测的准确性。

今年以来广立微新获得专利授权31个，较去年同期增加了63.16%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.07亿元，同比增67.7%。

数据来源：天眼查APP

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