天岳先进获得发明专利授权：“一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”，专利申请号为CN202410586417.4，授权日为2024年8月13日。

专利摘要：本发明提供了一种高品质碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，涉及碳化硅晶片技术领域。晶体的制备方法包括晶体稳定生长阶段，晶体稳定生长阶段的生长工艺条件包括以下步骤：S1：靠近晶体生长边缘处存在限定边，限定边与晶体生长边缘处的距离不大于5mm，在限定边与晶体生长边缘范围内设置负的径向温度梯度?5℃/mm? ?0.1℃/mm；在限定边至晶体中心设置连续的正的温度梯度≤3℃/cm；S2：使用大于目标生长碳化硅晶体直径的籽晶进行晶体生长，籽晶直径较目标晶体和衬底直径至少大5mm以上，高品质碳化硅衬底由目标晶体处理后得到。本发明碳化硅衬底具有高质量均匀性，显著提高器件的可靠性。

今年以来天岳先进新获得专利授权23个，较去年同期增加了91.67%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.37亿元，同比增7.57%。

数据来源：天眼查APP

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