扬杰科技获得发明专利授权：“一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法”_股票频道

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法”，专利申请号为CN202410623579.0，授权日为2024年8月2日。

专利摘要：一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET器件由于曲率效应，使得沟槽底部拐角易引起电场集中，并且生长形成的栅氧层由于较高的界面态导致质量较差，因此沟槽栅碳化硅MOSFET器件的沟槽底部拐角的保护设计决定着器件可靠性。本发明通过在沟槽底部形成高浓度的Pshield区，将拐角完全包裹，使得原本集中在沟槽栅氧底部拐角的场强集中在Pshield区，避免了沟槽栅氧的失效。

今年以来扬杰科技新获得专利授权63个，较去年同期增加了117.24%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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