扬杰科技获得发明专利授权：“一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法”，专利申请号为CN202410623584.1，授权日为2024年8月2日。

专利摘要：一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET由于沟槽栅氧底部拐角的界面电场集中，以及栅氧的高界面态，导致器件在运行过程中栅氧层易产生击穿失效，大幅影响着器件的使用可靠性。本发明在沟槽栅氧底部设有一层浓度较浅的N?区，这层浅N?区完全将沟槽底部包裹，帮助PN结在沟槽栅氧底部进行耗尽，避免了电场集中，从而降低了器件沟槽栅氧的击穿失效概率，提高器件可靠性。根据仿真验证，本发明结构将原本聚集于沟槽栅氧底部拐角的电场转移到了浅N?区，最大场强数值也降低了近60%。

今年以来扬杰科技新获得专利授权63个，较去年同期增加了117.24%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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