新洁能获得发明专利授权：“一种功率半导体器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种功率半导体器件及其制作方法”，专利申请号为CN201911305486.9，授权日为2024年8月2日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，包括半导体基板，半导体基板被划分为元胞区和终端保护区，元胞区位于半导体基板的中心区，其中，半导体基板包括第一导电类型衬底和第一导电类型外延层；位于元胞区的第二导电类型体区内设置有第一类沟槽；位于终端保护区的第二导电类型体区内设置有至少一根第二类沟槽；第二类沟槽的上方设置有金属场板，金属场板位于终端保护区内，且从靠近元胞区的第二类沟槽开始并沿着远离元胞区的方向延伸，金属场板至少覆盖一根第二类沟槽。本发明还公开了一种功率半导体器件的制作方法。本发明提供的功率半导体器件能够提高功率半导体器件的耐压，提高功率半导体器件的可靠性。

今年以来新洁能新获得专利授权18个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8731.42万元，同比减13.3%。

数据来源：企查查

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