扬杰科技获得发明专利授权：“一种碳化硅半导体器件及加工方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种碳化硅半导体器件及加工方法”，专利申请号为CN202111039336.5，授权日为2024年7月23日。

专利摘要：一种碳化硅半导体器件及加工方法。提供了一种降低测试时的空气电场强度，避免打火现象的一种碳化硅半导体器件及加工方法。本发明制作的过程不增加工艺复杂度和制造成本，形成的划片道P区器件结构由于远离终端，反向高压甚至雪崩状态时几乎不影响器件的终端截止效率。同时，在反向加压时，尤其是加到1000V以上的高压时，背面电极的等势面将不在划片道表面，由于划片道PN结反向耗尽，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低，形成与正面加厚电极（6）之间的电势差被缩小到可以忽略的状态，因此，两者之间的电势差根本不足以激发空气电离，如此便可以避免上述打火现象的发生。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个，较去年同期增加了120%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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