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扬杰科技获得实用新型专利授权:“具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET”

来源:证券之星企业动态 2024-07-24 02:40:35
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证券之星消息,根据企查查数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET”,专利申请号为CN202322893090.9,授权日为2024年7月23日。

专利摘要:具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层;所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区;所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一;相邻所述PW区之间设有源级处沟槽,所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二;所述源级处沟槽的深度大于PW区结深;本实用新型通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管,使得体二极管导通从N型漂移层开始,提高了体二极管的导通能力,并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延,从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。

今年以来扬杰科技新获得专利授权55个,较去年同期增加了120%。结合公司2023年年报财务数据,2023年公司在研发方面投入了3.56亿元,同比增21.57%。

数据来源:企查查

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