卓胜微获得发明专利授权：“绝缘体上硅结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示卓胜微（300782）新获得一项发明专利授权，专利名为“绝缘体上硅结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311221825.1，授权日为2024年7月19日。

专利摘要：本申请涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括：绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括埋氧层，埋氧层内埋设有第一栅极；晶体管结构，位于绝缘体上硅衬底上，晶体管结构包括有源层及第二栅极，第二栅极与第一栅极在绝缘体上硅衬底的正投影存在交集，且交集区域位于有源层在绝缘体上硅衬底的正投影内部，第二栅极电连接至第一栅极。本申请将位于埋氧层内的第一栅极同第二栅极进行连接，使得二者电位相同，从而达到对体区电势的控制，有效减少浮体效应。同时，可以使得栅极电压对于电子沟道的控制回到线性。

今年以来卓胜微新获得专利授权23个，较去年同期增加了228.57%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了6.29亿元，同比增39.99%。

数据来源：企查查

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