长光华芯获得发明专利授权：“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法”，专利申请号为CN202410534321.3，授权日为2024年7月12日。

专利摘要：本申请公开了高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，其中高功率半导体激光芯片性能评估方法包括：在待测芯片N面电极上设置窗口；使待测芯片保持工作状态，待测芯片量子阱有源区产生自发辐射；使自发辐射成像于待测芯片外部；在待测芯片外部通过光谱仪获取自发辐射的光谱，得到待测芯片在工作状态下的量子阱温度的二维分布；在待测芯片外部通过CCD相机获取自发辐射成像的图像，得到待测芯片在工作状态下的量子阱内载流子的二维分布。本申请公开的高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，能够获得分辨率自由调节的工作状态下待测芯片量子阱内温度与载流子浓度的分布，操作方便，简单易行，有效提高评估结果准确度。

今年以来长光华芯新获得专利授权13个，与去年同期持平。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.19亿元，同比增0.64%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成（网信算备310104345710301240019号），与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。