兆易创新获得发明专利授权：“一种非易失性半导体存储器参数上电读取方法及装置”

证券之星消息，根据企查查数据显示兆易创新（603986）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种非易失性半导体存储器参数上电读取方法及装置”，专利申请号为CN201810540094.X，授权日为2024年7月9日。

专利摘要：本发明公开了一种非易失性半导体存储器参数上电读取方法及装置，涉及芯片存储技术领域。所述方法，包括：当接收到上电触发指令时，读取目标存储器的系统参数；通过预设解码方式，基于所述系统参数以及编码参数进行解码纠错，得到配置参数；根据所述配置参数对所述目标存储器进行参数配置；其中，所述编码参数为通过预设编码方式对所述系统参数进行编码后得到；所述预设编码方式与所述预设解码方式相对应。解决了现有的非易失性半导体存储器上电过程耗时长且上电失败率高的技术问题。取得了提高非易失性半导体存储器上电成功率以及使用寿命的有益效果。

今年以来兆易创新新获得专利授权58个，较去年同期增加了190%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了9.9亿元，同比增5.81%。

数据来源：企查查

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