斯达半导获得实用新型专利授权：“一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块”

证券之星消息，根据企查查数据显示斯达半导（603290）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块”，专利申请号为CN202322560814.8，授权日为2024年6月25日。

专利摘要：本实用新型公开了一种新型近芯片端连接技术的IGBT车用单管功率模块，属于功率模块技术领域；包括一壳体，壳体内包含引线框架，引线框架包括功率端子和信号端子；绝缘陶瓷基板，绝缘陶瓷基板包括导电铜层功率电路蚀刻区和导电铜层信号电路蚀刻区；功率芯片设于绝缘陶瓷基板上；功率芯片的背面连接导电铜层功率电路蚀刻区；功率芯片的正面功率极连接铜箔，铜箔连接导电铜层功率电路蚀刻区或功率端子；功率芯片的信号极与导电铜层信号电路蚀刻区或信号端子进行连接。上述技术方案的有益效果是：有利于功率模块耐受高结温的工作环境，提高功率模块的可靠性，减小近芯片端芯片应力，保护芯片。

今年以来斯达半导新获得专利授权29个，较去年同期增加了314.29%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.87亿元，同比增52.17%。

数据来源：企查查

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