拓荆科技获得发明专利授权：“一种薄膜制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示拓荆科技（688072）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种薄膜制备方法”，专利申请号为CN202010564561.X，授权日为2024年6月7日。

专利摘要：本申请实施例提供的一种薄膜制备方法，向反应腔室通入第一工艺气体和第一惰性气体，反应腔室中放置有晶圆，第一工艺气体可以包括第一不饱和烃和第二不饱和烃的混合气体，第一不饱和烃和第二不饱和烃的比例根据目标膜层的目标折射率和目标消光系数确定，对反应腔室中的气体进行射频处理，以在晶圆表面形成含碳的无定形陶瓷膜作为目标膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整第一不饱和烃和第二不饱和烃的比例从而调整含碳的无定形陶瓷膜中碳氢以及碳碳元素形成的不同化学键结构的比例成分，从而可以获得具有目标性能的碳膜，以使碳膜可以适用于不同的应用。

今年以来拓荆科技新获得专利授权9个，较去年同期减少了75%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.76亿元，同比增52.07%。

数据来源：企查查

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