扬杰科技获得实用新型专利授权：“一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构”，专利申请号为CN202322893070.1，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构。涉及功率半导体技术领域。从下而上依次包括漏极接触电极、漏极欧姆接触层、衬底、N型缓冲层、漂移层和P?Well阱区；所述P?Well阱区内设有与漂移层连接的载流子扩展层CSL?1和载流子扩展层CSL?2；所述P?Well阱区的端部设有与载流子扩展层CSL?2连接的欧姆接触区；所述P?Well阱区的顶部设有与欧姆接触区连接的源区；所述源区的顶面的中部设有向下伸入漂移层的沟道；本实用新型制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

今年以来扬杰科技新获得专利授权38个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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