天通股份获得发明专利授权：“一种高磁导率低损耗纳米晶复合磁粉心及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天通股份（600330）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高磁导率低损耗纳米晶复合磁粉心及其制备方法”，专利申请号为CN202410341328.3，授权日为2024年5月24日。

专利摘要：本发明公开了一种高磁导率低损耗纳米晶复合磁粉心及其制备方法，涉及磁性材料技术领域，具体由水气联合雾化FeSiBCuNb纳米晶粉末、FeNi粉末、包覆剂和润滑剂组成，制备工艺主要包括：绝缘包覆、加润滑剂、热压成型和退火处理，制得的纳米晶复合磁粉心成型密度能提高10%?20%，高达6.67 g/cm3，磁粉心损耗低，而且具有较高的磁导率，磁导率μ>55（100kHz），功率损耗Pcv<110kW/m3（25℃，50mT/100kHz），Pcv<500kW/m3（25℃，100mT/100kHz）。本发明方法制备工艺简单，成型性好，提高产品生产效率。

今年以来天通股份新获得专利授权14个，较去年同期减少了6.67%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.51亿元，同比减21.87%。

数据来源：企查查

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