许继电气获得发明专利授权：“片内RAM空间不足转片内flash存储的方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示许继电气（000400）新获得一项发明专利授权，专利名为“片内RAM空间不足转片内flash存储的方法”，专利申请号为CN202010785732.1，授权日为2024年5月10日。

专利摘要：一种片内RAM空间不足转片内flash存储的方法，包括：在底层程序Bootloader模式下将数据信息存储到片内flash未被使用的空间中；其中，在底层程序Bootloader模式下可以对片内flash进行编程，在应用程序App模式下不可以对片内flash进行编程，因此，通过片外eeprom转存后再将数据信息存入片内flash中。该方法解决了片内RAM空间不足导致显示终端程序编译不过以及显示终端因RAM空间问题造成功能不全的问题，使得存储空间变大，主机读取速度加快以及显示功能完整。

今年以来许继电气新获得专利授权118个，较去年同期增加了78.79%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了8.13亿元，同比增9.01%。

数据来源：企查查

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