广立微获得发明专利授权：“不同电压偏置下的电容测试方法及其测试芯片、系统”

证券之星消息，根据企查查数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“不同电压偏置下的电容测试方法及其测试芯片、系统”，专利申请号为CN201811413014.0，授权日为2024年5月3日。

专利摘要：本发明公开了一种不同电压偏置下的电容测试方法及其测试芯片、系统，所述测试方法包括：在等效电压偏置范围内使用相邻间隔为△V的M个电压分割点等分该等效电压偏置；提供频率为f，振幅为Vstep，中心点为Vbias的方波电压VG作为充电电压；在每一个电压分割点的充电电压振幅Vstep＝△V、Vbias＝?Vdd～Vdd的条件下测得充电电流I1_1与放电电流I2_1；改变充电电压VG为直流电压Vbias，在此条件下侧得背景噪声充电电流I1_2与放电电流I2_2；计算得出该等效电压偏置下的C(Vbias)；得到每个电压分割点的C?V曲线。本发明能利用微分原理方法进行不同等效电压偏置下的电容测试。

今年以来广立微新获得专利授权13个，较去年同期增加了18.18%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了2.07亿元，同比增67.7%。

数据来源：企查查

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