云南锗业获得发明专利授权：“利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示云南锗业（002428）新获得一项发明专利授权，专利名为“利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法”，专利申请号为CN202210606746.1，授权日为2024年4月30日。

专利摘要：利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。

今年以来云南锗业新获得专利授权6个，较去年同期增加了500%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3894.26万元，同比减13.07%。

数据来源：企查查

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