证券之星消息，根据企查查数据显示云南锗业（002428）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法”，专利申请号为CN202111222796.1，授权日为2024年4月30日。
专利摘要：本发明公开了一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置，由炉体、石墨底座、PBN坩埚和提升装置组成；所述炉体包括6个加热区域和控制加热区域温度的6个温控装置，从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区；石墨底座通过支撑底座设置于地面上；PBN坩埚设置于石英安瓶内，石英安瓶设置于石墨底座上；提升装置与炉体连接，能够拉动炉体以一定的拉速提升；炉体与PBN坩埚之间设置有石英罩，石英罩与支撑底座连接。不但能生长超低位错的晶体，而且放肩时间缩短20%，等径生长时间缩短50%，大大提高了生长效率。
今年以来云南锗业新获得专利授权6个，较去年同期增加了500%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3894.26万元，同比减13.07%。
数据来源：企查查
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