扬杰科技获得发明专利授权：“一种点状残留改善方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种点状残留改善方法”，专利申请号为CN201910940896.4，授权日为2024年4月26日。

专利摘要：一种点状残留改善方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域,尤其涉及一种点状残留改善方法。提供了一种操作方便，可有效避免氧化层或颗粒影响的晶片刻蚀残留方法。本发明中晶圆传送到位后，Gap调整稳定至0.9cm；腔体内压力保持在650mt，通过200sccm的CF4，250W功率运行BT步35s，刻蚀Wafer表面自然氧化层；在保证BT Step刻蚀速率的前提下，调整BT Step Gap（穿通刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）与ME Step Gap（主刻蚀步骤硅片与上电极之间的间隙）一致，避免上电极往下运动过程中在Wafer（硅片）表面引入缺陷，从而改善Poly（多晶硅）点状残留，提高产品良率。

今年以来扬杰科技新获得专利授权29个，较去年同期增加了61.11%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

数据来源：企查查

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