晶合集成获得发明专利授权：“背照式半导体结构刻蚀方法及刻蚀装置”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“背照式半导体结构刻蚀方法及刻蚀装置”，专利申请号为CN202311749109.0，授权日为2024年4月9日。

专利摘要：本发明涉及一种背照式半导体结构刻蚀方法及刻蚀装置，通过将背照式半导体结构固定于刻蚀腔体内，使背照式半导体结构中器件晶圆的底面与刻蚀腔体内的阳极盘接触，刻蚀溶液与阴极电极接触，对阳极盘和阴极电极施加电压，使器件晶圆的底面被活化，刻蚀溶液中产生亲核取代基与器件晶圆的底面反应，从而实现对器件晶圆的底面的刻蚀。同时，控制施加于阳极盘和阴极电极之间的电压值以及流经阳极盘上不同区域的电流值，以调节器件晶圆的底面的不同区域的刻蚀速率，根据不同区域的厚度值与对应目标值的差值选择不同的刻蚀时间和刻蚀速率，从而使所有区域的厚度达到对应目标值，提高对刻蚀控制的精确性，保证了对衬底减薄处理的稳定性。

今年以来晶合集成新获得专利授权87个，较去年同期增加了112.2%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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