广立微获得发明专利授权：“一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法及装置”

证券之星消息，根据企查查数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法及装置”，专利申请号为CN202410108983.4，授权日为2024年4月5日。

专利摘要：本发明提供的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，包括下述步骤：获取版图，确定目标管；获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径；识别所述至少两个电路路径的标识；存在连接关系的电路路径具有相同的标识；基于所述至少两个电路路径之间的标识是否相同，判定所述目标管的两个目标电极之间是否存在泄漏路径。该技术方案的有益效果在于，可以全面的找到泄露路径，并对泄露风险程度进行分析。本发明还提供了一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的装置，该装置利用识别场效应管泄露路径的方法，实现场效应晶体管泄露路径的快速识别。

今年以来广立微新获得专利授权10个，较去年同期增加了42.86%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了9313.46万元，同比增98.72%。

数据来源：企查查

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