天岳先进获得发明专利授权：“一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示天岳先进（688234）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法”，专利申请号为CN202110750285.0，授权日为2024年3月26日。

专利摘要：本申请公开了一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法，属于半导体材料处理技术领域，使用该清洁方法对碳化硅衬底进行清洁，能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性。清洁后的碳化硅衬底的C面和Si面上，粒径＞1μm的颗粒个数＜10个，粒径在0.5μm?1μm的颗粒个数＜20个，粒径在0.1μm?0.5μm的颗粒个数＜30个，粒径在0.02μm?0.1μm的颗粒个数＜70个。

今年以来天岳先进新获得专利授权9个，较去年同期增加了200%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了8980.84万元，同比增69.02%。

数据来源：企查查

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