杰华特获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法、集成电路”

证券之星消息，根据企查查数据显示杰华特（688141）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法、集成电路”，专利申请号为CN202311815225.8，授权日为2024年3月22日。

专利摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法、集成电路，半导体器件包括：衬底；第一埋层，位于衬底上方，具有第一掺杂类型；外延层，位于衬底上方，且覆盖第一埋层；第一阱区，具有第一掺杂类型，从外延层的表面向内部延伸，与第一埋层相接触，第一阱区与第一埋层形成盆状结构；第二阱区，具有第二掺杂类型，从外延层的表面向内部延伸，位于盆状结构的内部，且与盆状结构分隔；第一注入区和第二注入区，间隔分布在第二阱区内的上部，分别具有第一掺杂类型和第二掺杂类型；以及场板层，位于盆状结构内部的外延层上方，且同时覆盖第二阱区和外延层。该场板层可以调节第二阱区和盆状结构之间的电场，使得器件可以承受正负向高压。

今年以来杰华特新获得专利授权29个，较去年同期增加了190%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了2.44亿元，同比增69.88%。

数据来源：企查查

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