新洁能获得发明专利授权：“一种IGBT结构及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种IGBT结构及其制作方法”，专利申请号为CN201910439533.2，授权日为2024年3月12日。

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种IGBT结构，包括集电极金属，集电极金属上依次设置有第一导电类型集电极区、第二导电类型缓冲层和第二导电类型外延层，第二导电类型外延层上间隔设置有沟槽，每个沟槽的底部均设置有第一导电类型阱区，相邻两个沟槽之间的第二导电类型的外延层内设置第二导电类型载流子存储层，第二导电类型载流子存储层的表面设置第一导电类型体区，第一导电类型体区的表面设置第二导电类型源区和第一导电类型源区，沟槽的侧壁设置有导电多晶硅，沟槽的底部、导电多晶硅的表面以及第二导电类型外延层的表面均设置有绝缘介质层。本发明还公开了一种IGBT结构的制作方法。本发明提供的IGBT结构提高了可靠性。

今年以来新洁能新获得专利授权8个，较去年同期增加了700%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4691.76万元，同比增22.4%。

数据来源：企查查

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