有研硅获得发明专利授权：“一种精准控制单晶生长界面的方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种精准控制单晶生长界面的方法”，专利申请号为CN202111680189.X，授权日为2024年3月5日。

专利摘要：本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2?W1)/(B?A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3?W2)/(C?B)；(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。

今年以来有研硅新获得专利授权4个，较去年同期增加了100%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了4347.69万元，同比增17.39%。

数据来源：企查查

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