晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体存储器件及其制作方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体存储器件及其制作方法”，专利申请号为CN202311396451.7，授权日为2024年3月1日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体存储器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括并列设置的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区包括紧邻设置的驱动区和传输区；第一沟道掺杂区，设置在所述第二有源区内；第二沟道掺杂区，设置在所述第一有源区内；第一外延层，设置在所述驱动区上；第二外延层，设置在所述第一外延层上；多个栅极结构，设置在所述第二外延层和所述衬底上；以及重掺杂区，设置在所述栅极结构的两侧。通过本发明提供的一种半导体存储器件及其制作方法，提高半导体存储器件的静态噪声容限，提高半导体存储器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个，较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

以上内容由证券之星根据公开信息整理，由算法生成，与本站立场无关。证券之星力求但不保证该信息（包括但不限于文字、视频、音频、数据及图表）全部或者部分内容的的准确性、完整性、有效性、及时性等，如存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投资有风险，请谨慎决策。