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晶合集成获得发明专利授权:“一种半导体存储器件及其制作方法”

来源:证券之星企业动态 2024-03-02 02:52:59
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证券之星消息,根据企查查数据显示晶合集成(688249)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体存储器件及其制作方法”,专利申请号为CN202311396451.7,授权日为2024年3月1日。

专利摘要:本发明公开了一种半导体存储器件及其制作方法,属于半导体技术领域,所述半导体存储器件包括:衬底,所述衬底包括并列设置的第一有源区和第二有源区,所述第一有源区包括紧邻设置的驱动区和传输区;第一沟道掺杂区,设置在所述第二有源区内;第二沟道掺杂区,设置在所述第一有源区内;第一外延层,设置在所述驱动区上;第二外延层,设置在所述第一外延层上;多个栅极结构,设置在所述第二外延层和所述衬底上;以及重掺杂区,设置在所述栅极结构的两侧。通过本发明提供的一种半导体存储器件及其制作方法,提高半导体存储器件的静态噪声容限,提高半导体存储器件的性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权55个,较去年同期增加了111.54%。结合公司2023年中报财务数据,2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元,同比增27.46%。

数据来源:企查查

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