晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202311485251.9，授权日为2024年2月20日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、阻光结构以及介质层，衬底具有沿其厚度方向相对的第一表面及第二表面，衬底内具有沿第一方向间隔交替排布的隔离结构、功能结构；功能结构包括沿厚度方向层叠的多层功能层；阻光结构位于隔离结构的顶面，且阻光结构的底面高于顶层功能层的顶面；介质层覆盖阻光结构的外表面，以及顶层功能层的顶面；其中，隔离结构包括沿衬底的厚度方向层叠的第一隔离结构、隔离夹层以及第二隔离结构；第一隔离结构经由衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；第二隔离结构经由衬底的第二表面朝向衬底的第一表面延伸；隔离夹层位于第一隔离结构与第二隔离结构之间。半导体结构能够避免离子损伤。

今年以来晶合集成新获得专利授权30个，较去年同期增加了30.43%。结合公司2023年中报财务数据，2023上半年公司在研发方面投入了5.02亿元，同比增27.46%。

数据来源：企查查

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